高性能同步器件在统一封装中堆栈 2 个 NexFET MOSFET 可支持高电流、多相位 POL 应用
北京2010年6月9日电 /美通社亚洲/ -- 德州仪器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 电流下实现超过 90% 高效率的同步 MOSFET 半桥，其占位面积仅为同类竞争功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模块通过高级封装将 2 个非对称 NexFET 功率 MOSFET 进行完美整合，可为服务器、台式机与笔记本电脑、基站、交换机、路由器以及高电流负载点 (POL) 转换器等低电压同步降压半桥应用实现高性能。更多详情，敬请访问：http://www.ti.com.cn/powerblock-prcn 。
NexFET 功率模块除提高效率与功率密度外，还能够以高达 1.5 MHz 的开关频率生成高达 40 A 的电流，可显著降低解决方案尺寸与成本。优化的引脚布局与接地引线框架可显著缩短开发时间，改善整体电路性能。此外，NexFET 功率模块还能够以低成本方式实现与 GaN 等其他半导体技术相当的性能。
CSD86350Q5D 功率模块的主要特性与优势：
-- 5 毫米 x 6 毫米 SON 外形仅为两个采用 5 毫米 x 6 毫米 QFN 封装的分立式
MOSFET 器件的 50%；
-- 可在 25 A 的工作电流下实现超过 90% 的电源效率，与同类竞争器件相比，效
率高 2%，功率损耗低 20 %；
-- 与同类解决方案相比，无需增加功率损耗便可将频率提高 2 倍；
-- 底部采用裸露接地焊盘的 SON 封装可简化布局。
供货与价格情况
采用 5 毫米 x 6 毫米 SON 封装的 NexFET 功率模块器件现已开始批量供货，可通过 TI 及其授权分销商进行订购。此外，样片与评估板也已同步开始提供。
查阅有关 TI NexFET 功率 MOSFET 技术的更多详情：
-- 如欲了解完整的 NexFET 产品系列，敬请访问：
http://www.ti.com.cn/powerblock-prcn；
-- 通过 TI E2E(TM) 社区的 NexFET 论坛向同行工程师咨询问题，并帮助解决技术
难题：http://www.ti.com/nexfetforum-pr；
-- 搜索最新 MOSFET 图形参数选择工具：http://www.ti.com/mosfet-gps-pr；
-- 查看针对 NexFET 技术专门优化的 DC-DC 控制器：TPS40303、TPS40304、
TPS40305、TPS51217 以及 TPS51218。
商标
NexFET 与 TI E2E 是德州仪器的商标。所有商标与注册商标均是其各自所有者的财产。
关于 TI NexFET 功率 MOSFET 技术
TI NexFET 功率 MOSFET 技术可为高功率计算、网络、服务器系统以及电源降低能耗。这些高频率高效率模拟功率 MOSFET 可为系统设计人员实现先进的 DC/DC 功率转换解决方案。
关于德州仪器公司
德州仪器 (TI) 始终致力于帮助客户从容应对任何设计挑战，从而开发出创新的电子解决方案，让未来世界更智能、更健康、更安全、更环保以及更精彩。作为全球性的半导体公司，TI 在全球超过 30 个国家设有制造、设计或销售机构。
TI 在纽约证交所上市交易，交易代码为 TXN。
如欲了解有关 TI 的进一步信息，敬请查询 http://www.ti.com.cn 。
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