Panggilan Kertas Kerja daripada Penyelidik-penyelidik Lain
BEIJING, 20 Jun 2018 /PRNewswire/ -- Persidangan APCSCRM yang bakal diadakan pada 9-12 Julai 2018, menjemput pakar-pakar tersohor dari rantau Asia Pasifik untuk berhimpun bersama-sama bagi mempelajari dan bertukar-tukar idea serta teknologi dalam bidang-bidang pertumbuhan bahan semikonduktor jurang jalur lebar, persediaan dan pempakejan peranti serta aplikasi modul peranti. Berikut merupakan perihal ringkas mengenai beberapa pakar yang diundang:
| NO. |
Nama |
Tajuk Laporan |
| 1 |
Manabu ARAI（New JRC, Jepun） |
Comprehensive Review of Widebandgap Semiconductor Devices (Kajian Komprehensif Peranti Semikonduktor Jurang Jalur Lebar)
|
| 2 |
Hsien-Chin CHIU（Chang Gung University, Taiwan）
|
Package and Module Development of Six-inch Silicon-based GaN Power and Microwave Devices (Pembangunan Pakej dan Modul Peranti Kuasa GaN dan Gelombang Mikro Enam Inci berasaskan Silikon)
|
| 3 |
Andy CHUANG（Episil Technologies Inc., Taiwan）
|
SiC Foundry Introduction from Episil (Pengenalan Faundri SiC daripada Episil)
|
| 4 |
Yasuto HIJIKATA （Saitama University, Jepun）
|
A Macroscopic Simulation of the SiC Thermal Oxidation Process based on the Si and C Emission Model (Simulasi Makroskopik Proses Pengoksidaan Terma SiC berasaskan Model Emisi Si dan C)
|
| 5 |
Noriyuki IWAMURO（University of Tsukuba, Jepun）
|
Recent progress of SiC MOSFET Devices (Kemajuan Terkini Peranti MOSFET SiC)
|
| 6 |
Guoyou LIU（Zhuzhou CRRC Times Electric Co.,Ltd., China）
|
The Application Prospect of SiC Devices in Rail Transit (Prospek Aplikasi Peranti SiC dalam Transit Rel)
|
| 7 |
Hideharu MATSUURA（Osaka Electro-Communication University, Jepun）
|
Electrical Characterizationof Wide Band-Gap Semiconductors Using Hall-effect Measurements (Pencirian Elektrik Semikonduktor Jurang Jalur Lebar Menggunakan Pengukuran kesan Hall)
|
| 8 |
Tokuyasu MIZUHARA（ROHM Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd., Jepun）
|
Market Applications of Power Devices (SiC) ~ Characteristics and Applications of SiC Power Devices (Aplikasi Pasaran Peranti Kuasa (SiC) ~ Pencirian dan Aplikasi Peranti Kuasa SiC) |
| 9 |
Yufeng QIU（Institut Internet Tenaga Global, China）
|
The Application of SiC Devices into Future Power Grid (Aplikasi Peranti SiC dalam Grid Kuasa Masa Depan)
|
| 10 |
Guosheng SUN（Dongguan Tianyu Semiconductor Technology Co. Ltd., Institut Semikonduktor, CAS, China） |
Review of Structures and Origins of Triangular-shaped Defects in 4H-SiC (Kajian Semula Struktur dan Punca Kecacatan berbentuk Segi Tiga dalam 4H-SiC)
|
| 11 |
Xuhui WEN（Institut Kejuruteraan Elektrik, CAS, China）
|
Technical Approaches towards Ultra-high Power Density SiC Inverter in Electric Vehicle Applications (Pendekatan Teknikal terhadap Penyongsang SiC Ketumpatan Kuasa Ultra Tinggi dalam Aplikasi Kenderaan Elektrik)
|
| 12 |
Q. Jon ZHANG （North Carolina State University, AS）
|
Current Status and Future Perspectives of Wide Bandgap Semiconductor Devices and Applications (Status Semasa dan Perspektif Masa Depan Peranti dan Aplikasi Semikonduktor Jurang Jalur Lebar)
|
Persidangan ini turut dikhususkan untuk penghantaran manuskrip bagi kakitangan profesional dan teknikal berkaitan jurang jalur lebar dalam bahan, peranti dan aplikasi semikonduktor di universiti-universiti, institut-institut penyelidikan dan perusahaan-perusahaan serta institusi-institusi di dalam dan luar negara.
Arahan penghantaran:
1.Hantarkan draf melalui laman sesawang APCSCRM:
(Arahan Penghantaran: http://www.apcscrm2018.iawbs.com, penghantaran )
2. Tarikh akhir penghantaran abstrak: 30 Jun 2018.
3. Tarikh akhir penghantaran kertas kerja lengkap: 31 Julai 2018.
4. Sila ambil perhatian terhadap status semakan kertas kerja (sistem penghantaran dalam talian APCSCRM).
